Корзина
57 отзывов
Toshiba создала молекулярный фоторезист для EUV-литографии
Контакты
Заправка картриджей в Киеве, прошивка и ремонт принтеров Samsung, Xerox, HP, Canon, Brother.
Наличие документов
Знак Наличие документов означает, что компания загрузила свидетельство о государственной регистрации для подтверждения своего юридического статуса компании или физического лица-предпринимателя.
+38044222-80-78
+38063616-03-47
+38067236-71-64
Валентин Кравченко
УкраинаКиевСЕРВИСНЫЙ ЦЕНТР №1: Оболонь, улица Северная 1, 2 этаж (500 метров от метро Героев Днепра). СЕРВИСНЫЙ ЦЕНТР №2: Печерск, Бульвар Дружбы Народов 17-А, офис 4 (300 метров от метро Дружбы Народов). ПЕРЕД ПРИЕЗДОМ В СЕРВИС - ПРЕДВАРИТЕЛЬНО ЗВОНИТЕ!
Карта

Toshiba создала молекулярный фоторезист для EUV-литографии

Toshiba создала молекулярный фоторезист для EUV-литографии

Toshiba заявляет о том, что разработала высокочувствительный фоторезист для литографического процесса с применением сверхглубокого ультрафиолета EUV при производстве полупроводников. Преимущества материала подтверждены в ходе испытаний с использованием 20-нм техпроцесса.

Достижение важно потому, что вместе с увеличением плотности размещения полупроводниковых элементов, когда литографические технологии подходят к 20-нм масштабам, обычные полимерные фоторезисты уже не справляются с возложенными на них задачами. Размеры их молекул и связи между молекулярными цепочками являются ограничителем. К тому же, сегодняшнее оборудование для аргон-фторидной лазерной экспозиции не способно обеспечить требуемых разрешений. Решение — в переходе на EUV-литографию и фоторезист, основанный на низкомолекулярном веществе.

При нанесении рисунка полупроводниковых цепей на подложку нужны позитивные и негативные фоторезисты, что позволяет сохранить точность структуры. При позитивном экспонировании подвергшиеся облучению участки удаляются с пластины. При негативном — удаляются участки, не попавшие под излучение. Низкомолекулярный состав Toshiba получила из производного соединения труксена, который более стоек, чем полимеры. После успешного получения тестового рисунка на подложке в 20-нм масштабе компания намерена продолжить совершенствование молекулярного резиста и его подготовку к выпуску 20-нм высокоинтегрированных LSI-компонентов. Согласно Международному графику полупроводниковых технологий, крупномасштабное производство этого поколения устройств начнется в 2013 году.


ЗАПРАВКА КАРТРИДЖЕЙ В КИЕВЕ — HP, CANON, XEROX, SAMSUNG, BROTHER, PANASONIC, TOSHIBA.

facebook twitter

заправка картриджей samsung

Предыдущие статьи